針對二維器件仿真軟件的研究
sicvdmosfet的一個限制因素是擊穿電壓提高和導通電阻降低存在矛盾，導通電阻與擊穿電壓的2.43次方成正比.而超結和半超結可以改進這種關系.“超結理論”由tatsuhiko等1997年提出，其關鍵結構由交替的n柱和p柱組成，加入超結和半超結結構可以大大提高vdmos的擊穿電壓，降低導通電阻。但是超結和半超結不允許n柱和p柱摻雜濃度有太大偏差，柱區(qū)電荷失配（chargeimbalance）會導致反向阻斷特性降低，器件性能變差。而sic注入深度淺，需要多次交替離子注入和外延生長，增加了制造柱區(qū)的工藝難度。在si器件中，無論是超結器件還是半超結器件，電荷失配越嚴重，擊穿電壓越低，擊穿電壓在n柱與p柱摻雜濃度相等時達到最大.而在sic器件中，yu等也對超結結構的電荷失配進行了研究，得出了類似的結果，但是對于電荷失配對半超結vdmosfet的影響還缺乏相關報道。
本文通過使用二維器件仿真軟件isedessise研究了電荷失配對4h-sic半超結和超結vdmosfet反向擊穿特性的影響。sic半超結vdmosfet的最大擊穿電壓的偏移是由p阱和襯底輔助層的存在導致的。p阱和襯底輔助層的存在使超結結構上下部分不對稱，因此p阱附近的電場和襯底輔助層內的電場對器件內部的電勢分布造成了影響。理想情況下，如果n柱和p柱摻雜濃度相同，擊穿電壓最高，半超結結構的電場分布如圖3所示，柱區(qū)電場大小自上而下基本不變。
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