產(chǎn)品詳情
科研型 高真空磁控濺射鍍膜機(jī) Circular Sputter系列是我司科研類及中試類高真空磁控濺射儀,其主要是用圓形磁控濺射靶進(jìn)行濺射的方法,制備金屬、合金、化合物、半導(dǎo)體、陶瓷、介質(zhì)復(fù)合膜及其它化學(xué)反應(yīng)膜等;適用于鍍制各種單層膜、多層膜、摻雜膜及合金膜;可鍍制磁性材料和非磁性材料。
可用于TGV/TSV/TMV 先進(jìn)封裝的研發(fā),高深徑比(≥10:1)的深孔金屬種子層鍍膜。
秉承設(shè)備為工藝實(shí)現(xiàn)提供實(shí)現(xiàn)手段的理念,我們做了如下設(shè)計(jì)和工程實(shí)現(xiàn),實(shí)際運(yùn)行效果良好,為用戶的專用工藝實(shí)現(xiàn)提供了精準(zhǔn)的工藝設(shè)備方案。
靶材背面和濺射靶表面的結(jié)合處理
- 靶材和靶面直接做到面接觸是很難的,如果做不到面接觸,接觸電阻將增大,導(dǎo)致離化電場(chǎng)的幅值不夠(接觸電阻增大,接觸面的電場(chǎng)分壓增大),導(dǎo)致鍍膜效果不好;電阻增大導(dǎo)致靶材發(fā)熱升溫,降低鍍膜質(zhì)量。
- 靶材和靶面接觸不良,導(dǎo)致水冷效果不好,降低鍍膜質(zhì)量。
- 增加一層特殊導(dǎo)電導(dǎo)熱的軟薄的物質(zhì),保證面接觸。
基片和靶材之間的距離可調(diào)整,以適應(yīng)不同靶材的成膜工藝的距離要求。
磁控濺射靶頭可調(diào)角度,以便針對(duì)不同尺寸基片的均勻性,做精準(zhǔn)調(diào)控。
集成一體化柜式結(jié)構(gòu)
一體化柜式結(jié)構(gòu)優(yōu)點(diǎn):
安全性好(操作者不會(huì)觸碰到高壓部件和旋轉(zhuǎn)部件)
占地面積小,尺寸約為:長(zhǎng)1100mm×寬780mm(標(biāo)準(zhǔn)辦公室門是800mm寬)(傳統(tǒng)設(shè)備大約為2200mm×1000mm),相同面積的工作場(chǎng)地,可以放兩臺(tái)設(shè)備。
控制系統(tǒng)
采用計(jì)算機(jī)+PLC 兩級(jí)控制系統(tǒng)
- 電力系統(tǒng)的檢測(cè)與保護(hù)
- 設(shè)置真空檢測(cè)與報(bào)警保護(hù)功能
- 溫度檢測(cè)與報(bào)警保護(hù)
- 冷卻循環(huán)水系統(tǒng)的壓力檢測(cè)和流量
- 檢測(cè)與報(bào)警保護(hù)
工藝氣體采用勻氣技術(shù),氣場(chǎng)更均勻,鍍膜更均勻。
基片加熱技術(shù)
采用鎧裝加熱絲,由于通電加熱的金屬絲不暴露在真空室內(nèi),所以高溫加熱過程中不釋放雜質(zhì)物質(zhì),保證薄膜的純凈度。鎧裝加熱絲放入均溫器里,保證溫常的均勻,然后再對(duì)基片加熱。
真空室內(nèi)外,全部電化學(xué)拋光,完全去除表面微觀毛刺叢林(在顯微鏡下可見),沒有微觀藏污納垢的地方,腔體內(nèi)表面積減少一倍以上,鍍膜更純凈,真空度更高,抽速更快。
設(shè)備結(jié)構(gòu)及性能:
1、單鍍膜室、雙鍍膜室、單鍍膜室+進(jìn)樣室、鍍膜室+手套箱
2、磁控濺射靶數(shù)量及類型:1~6個(gè)靶,圓形平面靶
3、靶的安裝位置:由下向上、由上向下、斜向、側(cè)向安裝
4、磁控濺射靶:射頻、中頻、直流脈沖、直流兼容
5、基片可旋轉(zhuǎn)、可加熱、可升降、可加偏壓
6、通入反應(yīng)氣體,可進(jìn)行反應(yīng)濺射鍍膜
7、操作方式:手動(dòng)、半自動(dòng)、全自動(dòng)
8、如果需要更高本底真空需要配置LOADLOCK,超高真空磁控濺射靶并且 樣品傳遞采用折疊式,超高真空機(jī)械手或真空機(jī)械手,系統(tǒng)極限真空可達(dá)10^-8Pa
設(shè)備主要技術(shù)指標(biāo)
- 基片托架:根據(jù)供件大小配置。
- 基片加熱器溫度:根據(jù)用戶供應(yīng)要求配置。溫度可用電腦編程控制,可控可調(diào)。
- 基片自轉(zhuǎn)速度:2~20轉(zhuǎn)/分鐘。
- 基片架可加熱、可旋轉(zhuǎn)、可升降。
- 靶面到基片距離30mm~140mm 可調(diào)。
- Φ2~Φ12英寸平面圓形靶1~6支,配氣動(dòng)靶控板,靶可擺頭調(diào)角度。
- 鍍膜室的極限真空:6X10^-5Pa~7X10^-8Pa,恢復(fù)工作背景真空7×10^-4Pa:30分鐘左右(新設(shè)備充干燥氮?dú)猓?br /> - 設(shè)備總體漏放率:關(guān)機(jī)12小時(shí)真空度≤5Pa
設(shè)備工作條件
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類型 |
參數(shù) |
備注 |
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供電 |
~380V |
三相五線制 |
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功率 |
根據(jù)設(shè)備規(guī)模配置 |
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冷卻水循環(huán) |
根據(jù)設(shè)備規(guī)模配置 |
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水壓 |
1.0~1.5×10^5Pa |
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制冷量 |
根據(jù)散熱量配置 |
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水溫 |
18~25℃ |
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氣動(dòng)部件供氣壓力 |
0.5MPa~0.7MPa |
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質(zhì)量流量控制器供氣壓力 |
0.05MPa~0.2MPa |
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工作環(huán)境溫度 |
10℃~40℃ |
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工作環(huán)境濕度 |
≤50% |
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關(guān)于我們
鵬城微納技術(shù)(沈陽)有限公司,由哈爾濱工業(yè)大學(xué)(深圳)與有多年實(shí)踐經(jīng)驗(yàn)的工程師團(tuán)隊(duì)共同發(fā)起創(chuàng)建。公司立足于技術(shù)前沿、市場(chǎng)前沿和產(chǎn)業(yè)前沿的交叉點(diǎn),尋求創(chuàng)新yin*ling與可持續(xù)發(fā)展,解決產(chǎn)業(yè)的痛點(diǎn)和國(guó)產(chǎn)化難題,爭(zhēng)取產(chǎn)業(yè)鏈的自主可控。
鵬城微納技術(shù)(沈陽)有限公司是鵬城半導(dǎo)體技術(shù)(深圳)有限公司全資子公司,是半導(dǎo)體和泛半導(dǎo)體工藝和裝備的設(shè)計(jì)中心和生產(chǎn)制造基地。
公司核心業(yè)務(wù)是微納技術(shù)與gao*duan精密制造,具體應(yīng)用領(lǐng)域包括半導(dǎo)體和泛半導(dǎo)體材料、工藝、裝備的研發(fā)設(shè)計(jì)、生產(chǎn)制造、工藝技術(shù)服務(wù)及裝備的升級(jí)改造,可為用戶提供工藝研發(fā)和打樣,可為生產(chǎn)企業(yè)提供生產(chǎn)型設(shè)備,可為科學(xué)研究提供科研設(shè)備。
公司人才團(tuán)隊(duì)知識(shí)結(jié)構(gòu)完整,有工程師哈工大教授和博士,為核心的高水平材料研究和工藝研究團(tuán)隊(duì),還有來自工業(yè)界的高級(jí)裝備設(shè)計(jì)師團(tuán)隊(duì),他們具有30多年的半導(dǎo)體材料研究、外延技術(shù)研究和半導(dǎo)體薄膜制備成套裝備設(shè)計(jì)、生產(chǎn)制造的經(jīng)驗(yàn)。
公司依托于哈爾濱工業(yè)大學(xué)(深圳),具備xian*jin的半導(dǎo)體研發(fā)設(shè)備平臺(tái)和檢測(cè)設(shè)備平臺(tái),可以在高起點(diǎn)開展科研工作。公司總部位于深圳市,具備半導(dǎo)體和泛半導(dǎo)體裝備的研發(fā)、生產(chǎn)、調(diào)試以及器件的中試、生產(chǎn)、銷售的能力。
公司團(tuán)隊(duì)技術(shù)儲(chǔ)備及創(chuàng)新能力
1998~2002
-設(shè)計(jì)了中試型的全自動(dòng)化監(jiān)控的MOCVD,用于外延硅基GaN
-設(shè)計(jì)制造了聚氨酯薄膜的卷繞式鍍膜機(jī)
2005
-設(shè)計(jì)制造了中國(guó)di*yi臺(tái)wan*quan自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)的MBE(分子束外延設(shè)備),用于外延光電半導(dǎo)體材料
2007
-設(shè)計(jì)超高溫CVD 和MBE,用于4H晶型SiC外延生長(zhǎng)
-設(shè)計(jì)制造了光學(xué)級(jí)金剛石生長(zhǎng)設(shè)備(采用熱激發(fā)技術(shù)和CVD技術(shù))
2015
-設(shè)計(jì)制造了金剛石涂層制備設(shè)備,制備了金剛石電極、微米晶和納米晶金剛石薄膜、導(dǎo)電金剛石薄膜
2017
-優(yōu)化Rheed設(shè)計(jì),開始生產(chǎn)型MBE設(shè)計(jì)
-開始研發(fā)PSD方法外延GaN的工藝和裝備
2019
-設(shè)計(jì)制造了大型熱絲CVD金剛石薄膜的生產(chǎn)設(shè)備
2021
-鵬城半導(dǎo)體技術(shù)(深圳)有限公司成立
2022
-子公司鵬城微納成立;
-熱絲CVD設(shè)備、高真空磁控濺射儀、電子束蒸鍍機(jī)、分子束外延與磁控濺射聯(lián)用設(shè)備多套出貨
-獲得ISO9001質(zhì)量管理體系證書
2023
-PSD方法外延GaN裝備與工藝的技術(shù)攻關(guān);
-科技型中小企業(yè)-入庫編號(hào)202344030500018573;
-創(chuàng)新型中小企業(yè);
-獲50+項(xiàng)知識(shí)產(chǎn)權(quán)zhuan*li;
-企業(yè)信用評(píng)價(jià)3A*信用企業(yè);/ISO三體系認(rèn)證;
-子公司晶源半導(dǎo)體成立
2024~2026
-與jun*gong和和核工業(yè)客戶合作取得突破(核反應(yīng)堆材料的涂層工藝及裝備、X 光感受板及光電器件的薄膜生長(zhǎng))
-鵬城微納子公司擴(kuò)產(chǎn)
-TGV/TSV/TMV
-微光探測(cè)、醫(yī)療影像、復(fù)合硬質(zhì)涂層
-gao*xin*ji*shu企業(yè)
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