產(chǎn)品詳情
生產(chǎn)型 高真空磁控濺射/離子輔助/多弧復(fù)合鍍膜機(jī)（PVD-1000S系列）該設(shè)備廣泛應(yīng)用于銑刀、鉆頭、軸承、齒輪、鏡片等表面的硬質(zhì)耐磨涂層制備，集成了工件表面處理、離子清洗、顆粒物控制、磁控濺射、離子輔助鍍膜及反應(yīng)濺射鍍膜等工藝方法于一體的PVD設(shè)備。
可以制備單層膜、多層膜、摻雜膜、金屬膜及合金膜、化合物薄膜等。
設(shè)備結(jié)構(gòu)及性能參數(shù)
設(shè)備由PVD鍍膜室、集成封閉機(jī)柜、分子泵+旋片泵真空機(jī)組、真空測量系統(tǒng)、工藝氣路系統(tǒng)、磁控濺射靶、直線型離子源、工件架、靶擋板、工件旋轉(zhuǎn)機(jī)構(gòu)、脈沖直流電源、高能量脈沖電源、中頻電源、射頻電源、偏壓電源、離子輔助鍍膜電源及控制系統(tǒng)、檢測及報(bào)警保護(hù)系統(tǒng)、水冷管路系統(tǒng)、循環(huán)制冷恒溫水箱、計(jì)算機(jī)+PLC 兩級(jí)控制系統(tǒng)組成。
- 整機(jī)外形尺寸：2500mm X 2500mm X 2000mm。也可根據(jù)用戶產(chǎn)能規(guī)模定制尺寸。
- 磁控濺射靶為矩形，靶面尺寸80mm X 300mm，沿真空室壁的圓周排列，可以隨時(shí)在線調(diào)整靶面與樣片的距離，靶頭伸縮距離150mm。
- 也可根據(jù)用戶工件尺寸，配置不同的靶材尺寸。
- 直線型離子源沿真空室壁的圓周排列，數(shù)量兩組，工作氣壓0.1-0.3Pa，能量200-5000eV可調(diào)，束流強(qiáng)度0.2-1A。
- 工件架為圓筒形結(jié)構(gòu)，工件沿圓周排列，每個(gè)工位工件既自轉(zhuǎn)又公轉(zhuǎn)。樣品裝載數(shù)量大；旋轉(zhuǎn)運(yùn)動(dòng)運(yùn)行平穩(wěn)，無抖動(dòng)；密封可靠。
- 工件可加偏壓。
- 加熱系統(tǒng)采用紅外加熱器，對(duì)真空環(huán)境無污染，加熱均勻；具有PID功能的智能溫控儀控制加熱功率。工件zui*gao可加熱至500攝氏度。
設(shè)備重點(diǎn)性能參數(shù)
| 極限真空度 | 7×10^-5Pa |
| 工作背景真空度 | 8×10^-4Pa |
| 工作背景真空到達(dá)時(shí)間 | ＜30min（空氣濕度低于45％；開門時(shí)間＜30min條件下從大氣抽到工作真空度時(shí)間) |
| 保壓 | 關(guān)機(jī)12小時(shí)保壓＜10Pa |
| 濺射室外形尺寸 | 直徑 875mm × 高度 1000mm |
| 整機(jī)尺寸 | 長 2500mm × 寬 2500mm × 高 2000mm |
| 樣品加熱溫度 | 室溫~500℃ |
| 樣品架公轉(zhuǎn)速度 | 0；3~12r/min連續(xù)可調(diào) |
| 片內(nèi)膜層均勻性 | ＜5% |
| 片間膜層均勻性 | ＜5% |
| 磁控靶數(shù)量 | 4靶（可根據(jù)用戶工藝擴(kuò)展靶位） |
| 直線型離子源 | 2靶 |
| 磁控靶規(guī)格 | 80mm × 300mm?？筛鶕?jù)用戶工件尺寸，配置對(duì)應(yīng)的靶規(guī)格。 |
| 靶材規(guī)格 | 80mm × 100mm × 8mm。可根據(jù)用戶工件尺寸，配置對(duì)應(yīng)的靶材規(guī)格 。 |
關(guān)于我們
鵬城微納技術(shù)（沈陽）有限公司，由哈爾濱工業(yè)大學(xué)（深圳）與有多年實(shí)踐經(jīng)驗(yàn)的工程師團(tuán)隊(duì)共同發(fā)起創(chuàng)建。公司立足于技術(shù)前沿、市場前沿和產(chǎn)業(yè)前沿的交叉點(diǎn)，尋求創(chuàng)新yin*ling與可持續(xù)發(fā)展，解決產(chǎn)業(yè)的痛點(diǎn)和國產(chǎn)化難題，爭取產(chǎn)業(yè)鏈的自主可控。
鵬城微納技術(shù)（沈陽）有限公司是鵬城半導(dǎo)體技術(shù)（深圳）有限公司全資子公司，是半導(dǎo)體和泛半導(dǎo)體工藝和裝備的設(shè)計(jì)中心和生產(chǎn)制造基地。
公司核心業(yè)務(wù)是微納技術(shù)與gao*duan精密制造，具體應(yīng)用領(lǐng)域包括半導(dǎo)體和泛半導(dǎo)體材料、工藝、裝備的研發(fā)設(shè)計(jì)、生產(chǎn)制造、工藝技術(shù)服務(wù)及裝備的升級(jí)改造，可為用戶提供工藝研發(fā)和打樣，可為生產(chǎn)企業(yè)提供生產(chǎn)型設(shè)備，可為科學(xué)研究提供科研設(shè)備。
公司人才團(tuán)隊(duì)知識(shí)結(jié)構(gòu)完整，有工程師哈工大教授和博士，為核心的高水平材料研究和工藝研究團(tuán)隊(duì)，還有來自工業(yè)界的高級(jí)裝備設(shè)計(jì)師團(tuán)隊(duì)，他們具有30多年的半導(dǎo)體材料研究、外延技術(shù)研究和半導(dǎo)體薄膜制備成套裝備設(shè)計(jì)、生產(chǎn)制造的經(jīng)驗(yàn)。
公司依托于哈爾濱工業(yè)大學(xué)（深圳），具備xian*jin的半導(dǎo)體研發(fā)設(shè)備平臺(tái)和檢測設(shè)備平臺(tái)，可以在高起點(diǎn)開展科研工作。公司總部位于深圳市，具備半導(dǎo)體和泛半導(dǎo)體裝備的研發(fā)、生產(chǎn)、調(diào)試以及器件的中試、生產(chǎn)、銷售的能力。
公司團(tuán)隊(duì)技術(shù)儲(chǔ)備及創(chuàng)新能力
1998~2002
-設(shè)計(jì)了中試型的全自動(dòng)化監(jiān)控的MOCVD，用于外延硅基GaN
-設(shè)計(jì)制造了聚氨酯薄膜的卷繞式鍍膜機(jī)
2005
-設(shè)計(jì)制造了中國di*yi臺(tái)wan*quan自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)的MBE(分子束外延設(shè)備)，用于外延光電半導(dǎo)體材料
2007
-設(shè)計(jì)超高溫CVD 和MBE，用于4H晶型SiC外延生長
-設(shè)計(jì)制造了光學(xué)級(jí)金剛石生長設(shè)備（采用熱激發(fā)技術(shù)和CVD技術(shù)）
2015
-設(shè)計(jì)制造了金剛石涂層制備設(shè)備，制備了金剛石電極、微米晶和納米晶金剛石薄膜、導(dǎo)電金剛石薄膜
2017
-優(yōu)化Rheed設(shè)計(jì)，開始生產(chǎn)型MBE設(shè)計(jì)
-開始研發(fā)PSD方法外延GaN的工藝和裝備
2019
-設(shè)計(jì)制造了大型熱絲CVD金剛石薄膜的生產(chǎn)設(shè)備
2021
-鵬城半導(dǎo)體技術(shù)（深圳）有限公司成立
2022
-子公司鵬城微納成立；
-熱絲CVD設(shè)備、高真空磁控濺射儀、電子束蒸鍍機(jī)、分子束外延與磁控濺射聯(lián)用設(shè)備多套出貨
-獲得ISO9001質(zhì)量管理體系證書
2023
-PSD方法外延GaN裝備與工藝的技術(shù)攻關(guān)；
-科技型中小企業(yè)-入庫編號(hào)202344030500018573；
-創(chuàng)新型中小企業(yè)；
-獲50+項(xiàng)知識(shí)產(chǎn)權(quán)zhuan*li；
-企業(yè)信用評(píng)價(jià)3A*信用企業(yè)；/ISO三體系認(rèn)證；
-子公司晶源半導(dǎo)體成立
2024~2026
-與jun*gong和和核工業(yè)客戶合作取得突破（核反應(yīng)堆材料的涂層工藝及裝備、X 光感受板及光電器件的薄膜生長）
-鵬城微納子公司擴(kuò)產(chǎn)
-TGV/TSV/TMV
-微光探測、醫(yī)療影像、復(fù)合硬質(zhì)涂層
-gao*xin*ji*shu企業(yè)
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