產(chǎn)品詳情
生產(chǎn)型 高真空磁控濺射及離子輔助復(fù)合鍍膜機(jī)（PVD-1000B系列）該設(shè)備采用磁控濺射、離子輔助、反應(yīng)濺射的工藝方法，在工件表面制備各種薄膜材料。該設(shè)備是集成了工件表面處理、離子清洗、顆粒物控制、磁控濺射、離子輔助鍍膜及反應(yīng)濺射鍍膜等工藝方法于一體的PVD設(shè)備。
可以制備單層膜、多層膜、摻雜膜、金屬膜及合金膜、化合物薄膜等。
設(shè)備結(jié)構(gòu)及性能參數(shù)
真空室為圓柱形、上開蓋、前開門結(jié)構(gòu)；使用材料均為奧氏體不銹鋼304/321，表面電化學(xué)拋光處理，無微觀毛刺，不會藏污納垢。
磁控濺射靶為矩形，沿真空室壁的圓周排列，可調(diào)整靶面與工件的距離。
樣品架為圓筒形，樣品裝載數(shù)量大；旋轉(zhuǎn)運(yùn)動為齒輪驅(qū)動式，動力直連輸入，經(jīng)齒輪驅(qū)動樣品臺轉(zhuǎn)盤旋轉(zhuǎn)，運(yùn)行平穩(wěn)，無抖動；密封可靠，故障率低。
加熱系統(tǒng)采用紅外加熱器，對真空環(huán)境無污染，加熱均勻；采用具有PID功能的智能溫控儀控制加熱功率。
電氣控制及操作系統(tǒng)工作穩(wěn)定可靠，操作界面清晰大方，便于操作。
系統(tǒng)安全保護(hù)設(shè)置齊全，設(shè)備啟動后可實(shí)行無人運(yùn)行。
設(shè)備重點(diǎn)性能參數(shù)
| 極限真空度 | 8X10^-5Pa |
| 工作背景真空度 | 8X10^-4Pa |
| 工作背景真空到達(dá)時(shí)間 | ＜40min（空氣濕度低于45％；開門時(shí)間＜30min條件下從大氣抽到工作真空度時(shí)間) |
| 樣品加熱溫度 | 室溫~300℃ |
| 樣品架公轉(zhuǎn)速度 | 3~10r/min連續(xù)可調(diào) |
| 片內(nèi)膜層均勻性 | ＜5% |
| 片間膜層均勻性 | ＜5% |
| 磁控靶數(shù)量 | 3靶（可根據(jù)用戶工藝擴(kuò)展靶位） |
| 真空清洗離子靶 | 1靶 |
關(guān)于我們
鵬城微納技術(shù)（沈陽）有限公司，由哈爾濱工業(yè)大學(xué)（深圳）與有多年實(shí)踐經(jīng)驗(yàn)的工程師團(tuán)隊(duì)共同發(fā)起創(chuàng)建。公司立足于技術(shù)前沿、市場前沿和產(chǎn)業(yè)前沿的交叉點(diǎn)，尋求創(chuàng)新yin*ling與可持續(xù)發(fā)展，解決產(chǎn)業(yè)的痛點(diǎn)和國產(chǎn)化難題，爭取產(chǎn)業(yè)鏈的自主可控。
鵬城微納技術(shù)（沈陽）有限公司是鵬城半導(dǎo)體技術(shù)（深圳）有限公司全資子公司，是半導(dǎo)體和泛半導(dǎo)體工藝和裝備的設(shè)計(jì)中心和生產(chǎn)制造基地。
公司核心業(yè)務(wù)是微納技術(shù)與gao*duan精密制造，具體應(yīng)用領(lǐng)域包括半導(dǎo)體和泛半導(dǎo)體材料、工藝、裝備的研發(fā)設(shè)計(jì)、生產(chǎn)制造、工藝技術(shù)服務(wù)及裝備的升級改造，可為用戶提供工藝研發(fā)和打樣，可為生產(chǎn)企業(yè)提供生產(chǎn)型設(shè)備，可為科學(xué)研究提供科研設(shè)備。
公司人才團(tuán)隊(duì)知識結(jié)構(gòu)完整，有工程師哈工大教授和博士，為核心的高水平材料研究和工藝研究團(tuán)隊(duì)，還有來自工業(yè)界的高級裝備設(shè)計(jì)師團(tuán)隊(duì)，他們具有30多年的半導(dǎo)體材料研究、外延技術(shù)研究和半導(dǎo)體薄膜制備成套裝備設(shè)計(jì)、生產(chǎn)制造的經(jīng)驗(yàn)。
公司依托于哈爾濱工業(yè)大學(xué)（深圳），具備xian*jin的半導(dǎo)體研發(fā)設(shè)備平臺和檢測設(shè)備平臺，可以在高起點(diǎn)開展科研工作。公司總部位于深圳市，具備半導(dǎo)體和泛半導(dǎo)體裝備的研發(fā)、生產(chǎn)、調(diào)試以及器件的中試、生產(chǎn)、銷售的能力。
公司團(tuán)隊(duì)技術(shù)儲備及創(chuàng)新能力
1998~2002
-設(shè)計(jì)了中試型的全自動化監(jiān)控的MOCVD，用于外延硅基GaN
-設(shè)計(jì)制造了聚氨酯薄膜的卷繞式鍍膜機(jī)
2005
-設(shè)計(jì)制造了中國di*yi臺wan*quan自主知識產(chǎn)權(quán)的MBE(分子束外延設(shè)備)，用于外延光電半導(dǎo)體材料
2007
-設(shè)計(jì)超高溫CVD 和MBE，用于4H晶型SiC外延生長
-設(shè)計(jì)制造了光學(xué)級金剛石生長設(shè)備（采用熱激發(fā)技術(shù)和CVD技術(shù)）
2015
-設(shè)計(jì)制造了金剛石涂層制備設(shè)備，制備了金剛石電極、微米晶和納米晶金剛石薄膜、導(dǎo)電金剛石薄膜
2017
-優(yōu)化Rheed設(shè)計(jì)，開始生產(chǎn)型MBE設(shè)計(jì)
-開始研發(fā)PSD方法外延GaN的工藝和裝備
2019
-設(shè)計(jì)制造了大型熱絲CVD金剛石薄膜的生產(chǎn)設(shè)備
2021
-鵬城半導(dǎo)體技術(shù)（深圳）有限公司成立
2022
-子公司鵬城微納成立；
-熱絲CVD設(shè)備、高真空磁控濺射儀、電子束蒸鍍機(jī)、分子束外延與磁控濺射聯(lián)用設(shè)備多套出貨
-獲得ISO9001質(zhì)量管理體系證書
2023
-PSD方法外延GaN裝備與工藝的技術(shù)攻關(guān)；
-科技型中小企業(yè)-入庫編號202344030500018573；
-創(chuàng)新型中小企業(yè)；
-獲50+項(xiàng)知識產(chǎn)權(quán)zhuan*li；
-企業(yè)信用評價(jià)3A*信用企業(yè)；/ISO三體系認(rèn)證；
-子公司晶源半導(dǎo)體成立
2024~2026
-與jun*gong和和核工業(yè)客戶合作取得突破（核反應(yīng)堆材料的涂層工藝及裝備、X 光感受板及光電器件的薄膜生長）
-鵬城微納子公司擴(kuò)產(chǎn)
-TGV/TSV/TMV
-微光探測、醫(yī)療影像、復(fù)合硬質(zhì)涂層
-gao*xin*ji*shu企業(yè)
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