產(chǎn)品詳情
PECVD 等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積設(shè)備主要用于在潔凈真空環(huán)境下進(jìn)行氮化硅和氧化硅的薄膜生長；采用單頻或雙頻等離子增強(qiáng)型化學(xué)氣相沉積技術(shù)，是沉積高質(zhì)量的氮化硅、氧化硅等薄膜的理想工藝設(shè)備。
雙頻技術(shù)，采用13.56MHZ射頻電源和400KHZ中頻電源。
射頻電源用于控制等離子體的通量；中頻電源用于控制等離子體的能量。
設(shè)備用途和功能特點(diǎn)
1、該設(shè)備是高真空單頻或雙頻等離子增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積PECVD薄膜設(shè)備，主要用于制備氮化硅和氧化硅薄膜。
2、設(shè)備保護(hù)功能強(qiáng)，具備真空系統(tǒng)檢測與保護(hù)、水壓檢測與保護(hù)、相序檢測與保護(hù)、溫度檢測與保護(hù)。
3、配置尾氣處理裝置。
設(shè)備安全性設(shè)計
1、電力系統(tǒng)的檢測與保護(hù)
2、設(shè)置真空檢測與報警保護(hù)功能
3、溫度檢測與報警保護(hù)
4、冷卻循環(huán)水系統(tǒng)的壓力檢測和流量檢測與報警保護(hù)
5、工藝氣路含防交叉污染裝置
設(shè)備技術(shù)指標(biāo)
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類型 |
參數(shù) |
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樣片尺寸 |
≤φ8英寸（或多片2英寸） |
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樣片加熱臺加熱溫度 |
室溫～ 600℃±0.1℃ |
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真空室極限真空 |
≤3×10-5Pa |
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工作背景真空 |
≤4×10-4Pa |
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設(shè)備總體漏放率 |
停泵12小時后，真空度≤10Pa |
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樣品、電極間距 |
5mm ～ 50mm在線可調(diào) |
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工作控制壓強(qiáng) |
10Pa ～ 1500Pa |
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氣體控制回路 |
根據(jù)工藝要求配置 |
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單頻電源的頻率 |
13.56MHz |
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雙頻電源的頻率 |
13.56MHz/400KHz |
工作條件
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類型 |
參數(shù) |
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供電 |
三相五線制 AC 380V |
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工作環(huán)境溫度 |
10℃～ 40℃ |
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氣體閥門供氣壓力 |
0.5MPa ～ 0.7MPa |
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質(zhì)量流量控制器輸入壓力 |
0.05MPa ～ 0.2MPa |
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冷卻水循環(huán)量 |
0.6m3/h 水溫18℃～25℃ |
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設(shè)備總功率 |
7kW |
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設(shè)備占地面積 |
2.0m ～ 2.0m |
單室與多室PECVD設(shè)備
關(guān)于我們
鵬城微納技術(shù)（沈陽）有限公司，由哈爾濱工業(yè)大學(xué)（深圳）與有多年實踐經(jīng)驗的工程師團(tuán)隊共同發(fā)起創(chuàng)建。公司立足于技術(shù)前沿、市場前沿和產(chǎn)業(yè)前沿的交叉點(diǎn)，尋求創(chuàng)新yin*ling與可持續(xù)發(fā)展，解決產(chǎn)業(yè)的痛點(diǎn)和國產(chǎn)化難題，爭取產(chǎn)業(yè)鏈的自主可控。
鵬城微納技術(shù)（沈陽）有限公司是鵬城半導(dǎo)體技術(shù)（深圳）有限公司全資子公司，是半導(dǎo)體和泛半導(dǎo)體工藝和裝備的設(shè)計中心和生產(chǎn)制造基地。
公司核心業(yè)務(wù)是微納技術(shù)與gao*duan精密制造，具體應(yīng)用領(lǐng)域包括半導(dǎo)體和泛半導(dǎo)體材料、工藝、裝備的研發(fā)設(shè)計、生產(chǎn)制造、工藝技術(shù)服務(wù)及裝備的升級改造，可為用戶提供工藝研發(fā)和打樣，可為生產(chǎn)企業(yè)提供生產(chǎn)型設(shè)備，可為科學(xué)研究提供科研設(shè)備。
公司人才團(tuán)隊知識結(jié)構(gòu)完整，有工程師哈工大教授和博士，為核心的高水平材料研究和工藝研究團(tuán)隊，還有來自工業(yè)界的高級裝備設(shè)計師團(tuán)隊，他們具有30多年的半導(dǎo)體材料研究、外延技術(shù)研究和半導(dǎo)體薄膜制備成套裝備設(shè)計、生產(chǎn)制造的經(jīng)驗。
公司依托于哈爾濱工業(yè)大學(xué)（深圳），具備xian*jin的半導(dǎo)體研發(fā)設(shè)備平臺和檢測設(shè)備平臺，可以在高起點(diǎn)開展科研工作。公司總部位于深圳市，具備半導(dǎo)體和泛半導(dǎo)體裝備的研發(fā)、生產(chǎn)、調(diào)試以及器件的中試、生產(chǎn)、銷售的能力。
公司團(tuán)隊技術(shù)儲備及創(chuàng)新能力
1998~2002
-設(shè)計了中試型的全自動化監(jiān)控的MOCVD，用于外延硅基GaN
-設(shè)計制造了聚氨酯薄膜的卷繞式鍍膜機(jī)
2005
-設(shè)計制造了中國di*yi臺wan*quan自主知識產(chǎn)權(quán)的MBE(分子束外延設(shè)備)，用于外延光電半導(dǎo)體材料
2007
-設(shè)計超高溫CVD 和MBE，用于4H晶型SiC外延生長
-設(shè)計制造了光學(xué)級金剛石生長設(shè)備（采用熱激發(fā)技術(shù)和CVD技術(shù)）
2015
-設(shè)計制造了金剛石涂層制備設(shè)備，制備了金剛石電極、微米晶和納米晶金剛石薄膜、導(dǎo)電金剛石薄膜
2017
-優(yōu)化Rheed設(shè)計，開始生產(chǎn)型MBE設(shè)計
-開始研發(fā)PSD方法外延GaN的工藝和裝備
2019
-設(shè)計制造了大型熱絲CVD金剛石薄膜的生產(chǎn)設(shè)備
2021
-鵬城半導(dǎo)體技術(shù)（深圳）有限公司成立
2022
-子公司鵬城微納成立；
-熱絲CVD設(shè)備、高真空磁控濺射儀、電子束蒸鍍機(jī)、分子束外延與磁控濺射聯(lián)用設(shè)備多套出貨
-獲得ISO9001質(zhì)量管理體系證書
2023
-PSD方法外延GaN裝備與工藝的技術(shù)攻關(guān)；
-科技型中小企業(yè)-入庫編號202344030500018573；
-創(chuàng)新型中小企業(yè)；
-獲50+項知識產(chǎn)權(quán)zhuan*li；
-企業(yè)信用評價3A*信用企業(yè)；/ISO三體系認(rèn)證；
-子公司晶源半導(dǎo)體成立
2024~2026
-與jun*gong和和核工業(yè)客戶合作取得突破（核反應(yīng)堆材料的涂層工藝及裝備、X 光感受板及光電器件的薄膜生長）
-鵬城微納子公司擴(kuò)產(chǎn)
-TGV/TSV/TMV
-微光探測、醫(yī)療影像、復(fù)合硬質(zhì)涂層
-gao*xin*ji*shu企業(yè)
13-6-3-2-7-5-0-0-1-7
